Анашкин Евгений Александрович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Admin (обсуждение | вклад) (Новая страница: «<p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специал...») Метка: визуальный редактор отключён |
Admin (обсуждение | вклад) |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| + | [[Файл:Анашкин ЕА пр 1.jpg|мини|253x253пкс|Евгений Александрович Анашкин]] | ||
<p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p> | <p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p> | ||
Текущая версия на 13:04, 12 октября 2021
АНА’ШКИН Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.
Г. В. Пранцова