Анашкин Евгений Александрович

АНА’ШКИН Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правит. РФ в обл. науки и техники (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «микроэлектроника»). Получил направление в Рос. фед. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деят-ти: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерных диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.

Г. В. Пранцова