Попов Юрий Михайлович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Admin (обсуждение | вклад) (Новая страница: «<p align="justify"> '''ПОПО’В''' Юрий Михайлович (род. 24.05.1929, П.), акад. РАЕН (1993), д-р физ.-матем. наук (19...») Метка: визуальный редактор отключён |
Admin (обсуждение | вклад) |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| + | [[Файл:Попов Юрий Михайлович 1.jpg|мини|265x265пкс|Юрий Михайлович Попов ]] | ||
<p align="justify"> '''ПОПО’В''' Юрий Михайлович (род. 24.05.1929, П.), акад. РАЕН (1993), д-р физ.-матем. наук (1963). Лауреат Лен. премии (1964), Гос. премии (1978). Окончил Пенз. шк. №10 (1947), Моск. инж.-физич. ин-т (1952). Спец. по физике полупроводников и квант. радиофизике. Ему (совм. с Н.Г. Басовым и Б.М. Вулом) принадлежит идея создания полупроводник. лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электрон. пучком. Впервые (совм. с И.А. Полуэктовым) предсказан эффект самоиндуцирован. прозрачности в полупроводниках. Основатель науч. шк. «Полупроводниковые лазеры». Зав. лаб. оптоэлектроники ФИАН им. П.Н. Лебедева (с 1993). Чл. Ин-та электроинж. США (1995). Авт. и соавт. б. 250 науч. публикаций. Награжден орд. Труд. Кр. Знам. (1975).</p> | <p align="justify"> '''ПОПО’В''' Юрий Михайлович (род. 24.05.1929, П.), акад. РАЕН (1993), д-р физ.-матем. наук (1963). Лауреат Лен. премии (1964), Гос. премии (1978). Окончил Пенз. шк. №10 (1947), Моск. инж.-физич. ин-т (1952). Спец. по физике полупроводников и квант. радиофизике. Ему (совм. с Н.Г. Басовым и Б.М. Вулом) принадлежит идея создания полупроводник. лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электрон. пучком. Впервые (совм. с И.А. Полуэктовым) предсказан эффект самоиндуцирован. прозрачности в полупроводниках. Основатель науч. шк. «Полупроводниковые лазеры». Зав. лаб. оптоэлектроники ФИАН им. П.Н. Лебедева (с 1993). Чл. Ин-та электроинж. США (1995). Авт. и соавт. б. 250 науч. публикаций. Награжден орд. Труд. Кр. Знам. (1975).</p> | ||
Текущая версия на 22:20, 3 ноября 2021
ПОПО’В Юрий Михайлович (род. 24.05.1929, П.), акад. РАЕН (1993), д-р физ.-матем. наук (1963). Лауреат Лен. премии (1964), Гос. премии (1978). Окончил Пенз. шк. №10 (1947), Моск. инж.-физич. ин-т (1952). Спец. по физике полупроводников и квант. радиофизике. Ему (совм. с Н.Г. Басовым и Б.М. Вулом) принадлежит идея создания полупроводник. лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электрон. пучком. Впервые (совм. с И.А. Полуэктовым) предсказан эффект самоиндуцирован. прозрачности в полупроводниках. Основатель науч. шк. «Полупроводниковые лазеры». Зав. лаб. оптоэлектроники ФИАН им. П.Н. Лебедева (с 1993). Чл. Ин-та электроинж. США (1995). Авт. и соавт. б. 250 науч. публикаций. Награжден орд. Труд. Кр. Знам. (1975).
М. Г. Беликова