Анашкин Евгений Александрович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Admin (обсуждение | вклад) (Новая страница: «<p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специал...») Метка: визуальный редактор отключён |
Admin (обсуждение | вклад) |
||
| (не показана 1 промежуточная версия этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
| − | <p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии | + | [[Файл:Анашкин ЕА пр 1.jpg|мини|253x253пкс]] |
| − | + | <p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правит. РФ в обл. науки и техники (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «микроэлектроника»). Получил направление в Рос. фед. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деят-ти: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерных диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p>''Г. В. Пранцова'' | |
| − | ''Г. В. Пранцова'' | ||
| − | |||
[[Категория: Образование, Наука]] | [[Категория: Образование, Наука]] | ||
Текущая версия на 15:20, 2 октября 2026
АНА’ШКИН Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правит. РФ в обл. науки и техники (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «микроэлектроника»). Получил направление в Рос. фед. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деят-ти: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерных диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.
Г. В. Пранцова