https://penza-enc.ru/index.php?action=history&feed=atom&title=%D0%90%D0%BD%D0%B0%D1%88%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%95%D0%B2%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87Анашкин Евгений Александрович - История изменений2026-10-13T04:48:14ZИстория изменений этой страницы в викиMediaWiki 1.35.0https://penza-enc.ru/index.php?title=%D0%90%D0%BD%D0%B0%D1%88%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%95%D0%B2%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87&diff=11426&oldid=prevAdmin в 12:20, 2 октября 20262026-10-02T12:20:45Z<p></p>
<table class="diff diff-contentalign-left diff-editfont-monospace" data-mw="interface">
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<tr class="diff-title" lang="ru">
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">← Предыдущая</td>
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Версия 12:20, 2 октября 2026</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="mw-diff-left-l1" >Строка 1:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Файл:Анашкин ЕА пр 1.jpg|мини|253x253пкс<del class="diffchange diffchange-inline">|Евгений Александрович Анашкин</del>]]</div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Файл:Анашкин ЕА пр 1.jpg|мини|253x253пкс]]</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии <del class="diffchange diffchange-inline">Правительства </del>РФ в обл. науки и <del class="diffchange diffchange-inline">техн. </del>(2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. <del class="diffchange diffchange-inline">«Микроэлектроника»</del>). Получил направление в Рос. <del class="diffchange diffchange-inline">федер</del>. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера <del class="diffchange diffchange-inline">деятельности</del>: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и <del class="diffchange diffchange-inline">лазерн. </del>диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p></div></td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии <ins class="diffchange diffchange-inline">Правит. </ins>РФ в обл. науки и <ins class="diffchange diffchange-inline">техники </ins>(2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. <ins class="diffchange diffchange-inline">«микроэлектроника»</ins>). Получил направление в Рос. <ins class="diffchange diffchange-inline">фед</ins>. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера <ins class="diffchange diffchange-inline">деят-ти</ins>: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и <ins class="diffchange diffchange-inline">лазерных </ins>диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p>''Г. В. Пранцова''</div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div> </div></td><td colspan="2"> </td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>''Г. В. Пранцова''</div></td><td colspan="2"> </td></tr>
<tr><td class='diff-marker'>−</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #ffe49c; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><del class="diffchange diffchange-inline"> </del></div></td><td colspan="2"> </td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Категория: Образование, Наука]]</div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div>[[Категория: Образование, Наука]]</div></td></tr>
</table>Adminhttps://penza-enc.ru/index.php?title=%D0%90%D0%BD%D0%B0%D1%88%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%95%D0%B2%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87&diff=6553&oldid=prevAdmin в 10:04, 12 октября 20212021-10-12T10:04:55Z<p></p>
<table class="diff diff-contentalign-left diff-editfont-monospace" data-mw="interface">
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<col class="diff-marker" />
<col class="diff-content" />
<tr class="diff-title" lang="ru">
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">← Предыдущая</td>
<td colspan="2" style="background-color: #fff; color: #202122; text-align: center;">Версия 10:04, 12 октября 2021</td>
</tr><tr><td colspan="2" class="diff-lineno" id="mw-diff-left-l1" >Строка 1:</td>
<td colspan="2" class="diff-lineno">Строка 1:</td></tr>
<tr><td colspan="2"> </td><td class='diff-marker'>+</td><td style="color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #a3d3ff; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><ins style="font-weight: bold; text-decoration: none;">[[Файл:Анашкин ЕА пр 1.jpg|мини|253x253пкс|Евгений Александрович Анашкин]]</ins></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p></div></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"><div><p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p></div></td></tr>
<tr><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td><td class='diff-marker'> </td><td style="background-color: #f8f9fa; color: #202122; font-size: 88%; border-style: solid; border-width: 1px 1px 1px 4px; border-radius: 0.33em; border-color: #eaecf0; vertical-align: top; white-space: pre-wrap;"></td></tr>
</table>Adminhttps://penza-enc.ru/index.php?title=%D0%90%D0%BD%D0%B0%D1%88%D0%BA%D0%B8%D0%BD_%D0%95%D0%B2%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%90%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%81%D0%B0%D0%BD%D0%B4%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B8%D1%87&diff=5898&oldid=prevAdmin: Новая страница: «<p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специал...»2021-04-23T11:02:20Z<p>Новая страница: «<p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специал...»</p>
<p><b>Новая страница</b></p><div><p align="justify">'''АНА’ШКИН''' Евгений Александрович (род. 25.02.1982, г. Сердобск Пенз. обл.), специалист в обл. микроэлектроники. Лауреат премии Правительства РФ в обл. науки и техн. (2008). В 2004 окончил ПГУ (спец. «Микроэлектроника»). Получил направление в Рос. федер. ядерный ц. – Всерос. науч.-иссл. ин-т техн. физики им. акад. Е.И. Забабахина (г. Снежинск Челябинской обл.). Работал инж.-электроником, нач. производств. участка. С 2017 – нач. лаб. Сфера деятельности: создание отеч. произ-ва полупроводн. светодиодов и лазерн. диодов; решение технологич. проблем при выращивании полупроводн. эпитаксиальных структур GaN и GaAs, а также при изготовлении чипов светодиодов и линеек лазерных диодов.</p><br />
<br />
''Г. В. Пранцова''<br />
<br />
[[Категория: Образование, Наука]]</div>Admin